1.定义 :在外力除去后变形不能回复的叫塑性变形.
2.度量其大小有用延伸率和断面收缩率来度量
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工程上区别脆性,塑性
塑性材料
脆性材料
3.影响因素:
①温度
塑性变好
二.对塑性变形的认识过程
最早对塑性变形的认识过程起始于单晶的拉伸试验
滑移 slide (占90%)
产生塑性变形的方式
孪生 twin(占10%)
1.滑移
定义:警惕在外力作用下,其中一部分沿着一定晶面和这个 晶面上的一定方向,对其另一部分产生的相对移动.
2.滑移的晶体学条件
①几何条件: 滑移沿密排面进行
②静电条件:对于离子晶体和共价晶体,滑移过程中不应遇 到同号离子的斥力作用.
③滑移系的概念:
滑移面与滑移方向的组合称为滑移系
3.临界分切应力
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对于单晶
固定(为临界分切应力)
变化
固定σs(屈服应力)也变化,故研究单晶没有意义

图3.12 在单晶体某滑移系上的
分切应力
三.塑性变形的本质
1.理论剪切强度
:切变模量
Orowan修正了
值为![]()
实际发生塑性变形时,τ比
小2~3个数量级造成这一差别的原因在于假设条件的差异,计算理论剪切强度时假定两排原子是刚性滑移,而实际过程并不是这样,而是位错运动的结果.
2.位错运动理论
dislocation
①定义:线状缺陷
②位错的类型
正
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刃位错(edge
dislocation)
负
右
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基本类型 螺位错(screw
dislocation)
左
混合位错(screw
dislocation)
③位错造成畸变的度量
柏格斯矢量
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④柏格斯矢量与位错线的几何关系
刃位错: ![]()
位错线
螺位错: ![]()
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位错线
滑移面:由位错线与柏格斯矢量组成的面
刃位错只有唯一一个的滑移面,对于螺位错,凡通过位错线的晶面,都是滑移面,有无数个.
⑤柏格斯矢量的守恒
a.一个位错沿其长度各柏氏矢量相等
为错在晶体内运动或者改变方向其柏氏矢量不变,即一个位错只有唯一的一个矢量,一个位错的形态可以是刃性,螺形或混合型,只要看位错线与柏氏矢量之间的角度怎样。
b.位错线不能在晶体内部中断,因此,它只能露出晶体表面,或接于其他位错。
c.当数个位错交于一点时,指向节点的柏氏矢量等于离开节点的位错的柏氏矢量。
⑥晶体内位错数量的表征
a. 单位体积内位错线的长度![]()
b. 单位面积上位错线的露点数![]()
c.
⑦位错的宽度
错排最大量1/4 处为位错的宽度
位错的宽度是衡量畸变的集中程度的量,离子晶体中位错宽度窄,要对整体性好,金属晶体宽度大,要求对整体性不高。位错可以销毁,可以增值。
⑧位错存在为何容易滑移



图2.8 完整晶体中原子排列及其势能曲线
无位错 有位错
正常原子滑移需越过势垒H
位错处,越过能量势垒h
有外切力时为h’时,h’﹤h
位错除滑移外,还可以产生攀移,由于热运动,原子之间扩散,空位扩散到位错处,使位错上移,杂质离子扩散到位错处,使位错下移。
⑨位错运动的阻力
派—纳力
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只与柏氏矢量和位错宽度有关
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都是表征位错造成畸变程度的物理量
是一个总的畸变量
是错排最大量
处的畸变宽度,表畸变的集中程度
⑩位错增殖机理
宏观上观察到的变形,是无数位错运动的结果。因此,要表现出塑性变形,必须有位错增殖的机理。
a. Frank-Read源
位错线在空间三维分布,必须有位错线交割
位错线与点缺陷的交点
b.位错源的运动过程
c.位错增殖的受力过程

:单位位错线受力
:外切力
L:晶体移动距离
b:变形大小
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![]()
T ![]()


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R
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开动Frank-Read源最大的切应力
从受力情况分析,可以得出以下结论:
a.被钉住位错线的长度越长(
长),开动的应力越小,如合金钢,在钢中加合金元素,使钉住的位错线
变短,
增大使钢的强度提高。
b.该材料的切变模量越大,开动它需要力越大。
c.柏氏矢量越大,开始位错需要的力越大。
3、孪生
①定义:
孪晶:以共格晶面(晶面)相连接,呈镜面对称的一对晶体的合称.
孪生:以产生孪晶方式进行切变变形的过程。
②与位错滑移的异同点
不同点
:ⅰ)滑移不改变晶体结构和取向
孪生不改变晶体结构,改变了晶体取向
ⅱ)孪生切变量是b 的一个分数
滑移切变量是b 的整数倍
ⅲ)孪生切应力大,如
发生孪生是滑移切
应力的2个数量级
滑移
孪生
ⅳ)孪生的晶体学条件更严格
相同点
:ⅰ)都不改变晶体结构
ⅱ)都是位错运动
孪生过程实际就是“部分位错“的运动,不同的柏氏矢量的位错相继扫过孪生面。
二者的关系:
变形首先由滑移完成,到一定程度滑移困 难时,产生孪生。由于取自改变后,切应力又容易使位错进行,滑移开始。在整个塑性变形过程中,二者是相互协同完成的。
对于对称性差的晶体,可能首先产生孪生,然后再进行滑移,但以孪生为主。
孪生发生切变变行占变形总量的10%。

四、多晶体塑性变形
1、多晶与单晶构造上的区别
2、多晶体塑性变形过程
金属---协调滑移
陶瓷---位错赛积
3、位错赛积
①位错在障碍物前的有序排列
②位错赛积所形成的应力集中
③晶粒尺寸对塑性变形的影响
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位错形成的应力场
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(同号位错间斥力) 位错间距离

设单位长度位错的向前移
,做的功


大,容易引起晶粒中位错的滑移。
的大小取决于位错的个数(在外加应力一定情况下),而位错的个数又与位错源距离有关,采取细化晶粒法。使N减少,也就是使 变小,难以达到产生塑性变形时的 值,故晶体 提高,强度提高。
4、产生协调滑移对位错数量的要求
根据很多人的研究结果,每个晶粒有5个独立的滑移系时,才能产生协调滑移。
对于耐火材料,
塑性最好,有5个独立的滑移系(高温时)
5、晶界对于多晶体塑性变形的作用
晶界通过对传达应力集中将应力传到第二个晶粒上,协调相邻晶粒间的变形过程。缺点是阻止位错滑移到晶界外