1、定义:材料承受温度聚变而不破坏的能力。
热震断裂
2、类别 热震损伤
抗热震性是材料力学和热学性能的综合表现。
①构件由冷变热或相反(约束)
②构件一端受热(约束)
1.产生热应 ③构件(约束)在不均匀的温度场中
力的条件 ④膨胀系数不相同复相材料在均匀的温度场中
⑤单晶体各向异性
2.几种典型热应力大小的表达式
1)急刷加热或冷却
(降)
表面收缩
当表面冷却时,要收缩,而内部没有来的及冷却,内部约束表面,不让他收缩,故对表面施加张应力。
2)缓慢加热(冷却)
该点至中和面的距离x 
该点的受热时间t
此时该点温度T
此时板平均温度 Ta
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γm: 标准尺寸
h: 表面散热系数
K: 导热率
B 用热应力衰减系数φ表示。
它不是瞬时在表面出现最大热应力,而是过一段时间后才在表面出现最大的热应力。 与材料几何尺寸有关,尺寸越大,产生的热应力也越大
3)等速加热(或冷却)
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温度梯度
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一)抗热震性的两种评价方法
1、抗热震断裂
热震力σH (热应力)
抵抗力σf σH>σf 时,断裂
2、抗热震损伤
破坏力。K1应力强度因子
“断裂力学”基础
抵抗力。K
当由于热应力而产生的应力强度因子K1>K
二)抗热震断裂参数
急冷(热)
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1、几种热应力 缓冷(热)
等速
2、热应力的简化
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m---材料的力学,热学性质 S---几何形状
H---热处理条件 T—温度
热处理条件相同,几何形状和尺寸也相同。
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3、抗热震断裂参数
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=
急冷(热)
缓冷(热)
等速
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辐射加热
蠕变
温度差和蠕变率
4、抗热震断裂参数应注意事项
性能参数 E、α、K、ρ 、cp 、σf
P(气孔率)
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导温系数,越大越好。
出现矛盾情况:要求E小,σf大,这是矛盾的
一般σf大,E也大
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E降下来,除选键能小外,还可通过增大气孔率办法(例如武汉耐火厂生产的气孔P=23%的钢包衬砖,本应为次品,但使用效果良好。)
三)抗热震损伤参数
w>u
热应力产生的应变能大于生成裂纹的表面能时,裂纹就发生扩展。
当球体加热,当球心的σH>σf时,球就开裂。
此时,
n:几何因子
产生裂纹,共N条裂纹,面积
W=u

可求得

相对量
产生裂纹面积与球半径与裂纹条数相关。
它的倒数为:
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抗热震损伤抵抗能力大小。
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①
正比于 ,
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②
③
四)裂纹的动态扩展的热震损伤

失去指导意义

1、Hasselman理论的理解
① 理论基础。裂纹扩展的动力是弹性应变能,如果裂纹产生的弹性应变能全部支持新生表面能殆尽,裂纹就会终止。
② 模型与数学表达式
三维脆性陶瓷 急冷
在物体的单位面积上有N条裂纹
半长 L
单位面积上总能量=应变能+裂纹的表面能
得6.26式:
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在给定的 时,有两个不稳定区,材料中在有裂纹情况下,对应于同一温差,裂纹有两个不稳定参数。
③短裂纹的扩展行为:
a.感性认识。
b.短裂纹的扩展行为。
c.找终止裂纹长度Lf表达式。



(与 相似)
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短裂纹的扩展与 、 成正比。
与初始强度 成反比。

④长裂纹扩展过程。

求 的表达式:
2.Hasselman理论的指导意义:
①在热震环境中,使用脆性
陶瓷时,我们希望材料要较低
的原始强度。

在热震条件下使用的材料,并不追求它的原始强度。
②对于断裂功 ,希望它高。
③有适当的裂纹密度N。
④有适当的长度的裂纹,避免出现断裂纹,希望它
准静态扩展,而不是动态扩展,故可以让晶粒尺
寸大些。
四、陶瓷材料抗热震实例。
(一) 陶瓷
1.不同晶粒尺寸的热震行为
晶粒尺寸大小有动态扩展过程(P81页,单晶,
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,34 ,40 )而晶粒尺寸大的事准静态扩展过程(85 )
2.原始强度与热震温差。
由小到大,抗热震温差由小到大。
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3.断裂功与 、
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断裂功大,材料的 和 提高。
4.残存强度率
与原始强度的关系。
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原始的强度愈高,强度损失愈大。
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5. 陶瓷的临界温差 ℃。
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(二) 增韧 陶瓷的热震行为。
1.增韧后的热震行为全部是准静态裂纹扩展。
2.P84图6-14增韧曲线可分为三组。
适量的裂纹增韧效果最好。
3.过多(裂纹有可能合并,变为一个大裂纹)
降, 差过少,则不能达到效果
(三)反应烧结 陶瓷。
1.热震行为。分为两种:B0为静态,
B1、B2、B3为动态扩展。
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2、B0、 ℃。B1、B2、B
因为B0的氮化过程不均匀,沿厚度方向衰减,
造成显微结构不好,故
℃比后面小
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3、 和 。
4、 增量
总结以上三个例子,可得出以下重要结论:
ⅰ)材料的热震行为可分为两类:准静态和动态扩
展过程
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ⅱ) 大, 大,这也是增韧的目的。
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ⅲ) 大,一般情况下 大,
也大
ⅳ)材料的显微结构对热震性能也有影响
五.提高材料抗热震性的主要措施一) 热学性能
1.k. k越大,材料温度越均匀,组分越单纯,k越大。
参杂越多,k越小。
2.晶体结构 结构越简单,传热越快,复杂传热慢
3.气孔 气孔是绝热的
4.复合材料:
如k1>k2 则导热受k2控制
如 平行层方向 则是k1 k2的加和
直接结合 k大
5.多晶陶瓷中的晶界
硅酸盐结合 k小
离子键. α大
键性
共价键. α小
强. 小 .离开平衡位置难
键强
弱 . 大 .离开平衡位置容易
晶体的各向异性